JAN1N5712UB · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 35 MA
Produits
1N6702US/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 470 MV @ 5 A
LM2902AQT14-13 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant d’alimentation
- 1 MA
- Courant de polarisation d’entrée
- - 20 NA
JANTX1N6642UBCC · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
1N3650 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.2 V @ 10 A
AS321KTR-E1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant d’alimentation
- 350 UA
- Courant de polarisation d’entrée
- 20 NA
UES1305E3/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 3 A
JANTXV1N5711UR-1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 NA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 410 MV @ 1 MA
JANS1N6643 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 100 MA
VS-150KR30A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 35 MA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.33 V @ 471 A
UES1305 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 3 A
JANTX1N6631U/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 4 µA @ 1 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 1.4 A
VS-T70HFL40S02 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 400 V
- Temps de recouvrement inverse (trr)
- 200 Ns
UES1303/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 925 MV @ 6 A
JANTXV1N6642UBCC/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
JAN1N5195 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 100 MA
JANTX1N6631U · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 4 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 1.4 A
LM2902PT · Composants électroniques
- Fabricant
- ROHM Semiconductor
- Courant d’alimentation
- 0.7 MA
- Courant de polarisation d’entrée
- 20 NA