JANTXV1N6640US · Composants électroniques
- Fabricant
- MACOM Technology Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 90 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 200 MA
Produits
SK38HE3-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 80 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 850 MV @ 3 A
CBS05F30 · Composants électroniques
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 30 V
- Température de jonction en fonctionnement
- 125°C (Max)
VS-C40CP07L-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 20 A
MURS4J-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.28 V @ 4 A
LM339APW · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Courant d’alimentation
- 500 UA
- Courant de polarisation d’entrée
- 50 NA
VS-1EQH02-M3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 970 MV @ 1 A
LSIC2SD065D20A · Composants électroniques
- Fabricant
- Littelfuse Inc.
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 45 A
- Temps de recouvrement inverse (trr)
- 0 Ns
SK56C · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 750 MV @ 5 A
RGP10G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1 A
STPSC20H12G-TR · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 120 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 20 A
VS-1EQH01-M3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 970 MV @ 1 A
RSFGLHR3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 500 MA
APT10SCD120K · Composants électroniques
- Fabricant
- Microsemi Corporation
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 10 A
- Temps de recouvrement inverse (trr)
- 0 Ns
V1P22HM3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 880 MV @ 1 A
RS1JLHR3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 800 MA
VS-3C20ET07S2L-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 20 A
SS1H10-E3/5AT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 770 MV @ 1 A