S310 · Composants électroniques
- Fabricant
- Yangjie Technology
- Boîtier
- Bande et bobine (TR)
Produits
PMEG10010ELR-QX · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 NA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 770 MV @ 1 A
SB10200 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 10 A
BAV20 · Composants électroniques
- Fabricant
- NXP USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 200 MA
BAT43W-G3-18 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 25 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 450 MV @ 15 MA
SS14L · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 400 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 1 A
R5021210RSZT · Composants électroniques
- Fabricant
- Powerex Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 45 MA @ 1200 V
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
SR515 · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.05 V @ 5 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 1.5 A
JANTXV1N1204AR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 38 A
NSVRB521S30T5G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 30 µA @ 10 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 200 MA
UG3AB-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 3 A
JANTX1N4500 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 300 MA
SK36HE3-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 750 MV @ 3 A
LL101A-GS18 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 NA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 15 MA
SIC20120PTA-BP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.8 V @ 10 A
ES1D-E3/5AT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 1 A
UG3BB-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 3 A