HSM2694TR-E · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Renesas Electronics America Inc
- Encapsulado / carcasa
- A granel
Componentes electrónicos
BAS40-06-E3-18 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 125°C (Max)
HSU83-91TRF · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Renesas Electronics America Inc
- Encapsulado / carcasa
- A granel
SMMBD7000LT1G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
VS-3EYH01HM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 950 MV @ 3 A
DA204UT106 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
RB081L-20TE25 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 700 µA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 450 MV @ 500 MA
BAV70HDWQ-13 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 125mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
PMEG040V050EPEZ · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 120 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 520 MV @ 5 A
BAV170HYT116 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 215mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C
ER3GA_R1_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 3 A
GSD2004S-G3-18 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 225mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
PU3BBH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 930 MV @ 3 A
DAN222TL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
V7NM103-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 160 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 720 MV @ 7 A
BAV23CQ-13-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 400mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
1N4944GP-E3/54 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 1 A
DAN222ZMT2L · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C