S3J-M3/57T · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.15 V @ 2.5 A
Componentes electrónicos
DA228UMFHTL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
STTH1R04UY · Componentes electrónicos
- Fabricante
- STMicroelectronics
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.6 V @ 1 A
HN2S01FUTE85LF · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 125°C (Max)
V7NM153HM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 70 µA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 980 MV @ 7 A
BAV199HYT116 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 215mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C
PMEG6030EP-QX · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 530 MV @ 3 A
NSVBAS21TMR6T1G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
PMEG4030EP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 490 MV @ 3 A
BAS31 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 250mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
CMS10I40A(TE12L · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 450 MV @ 1 A
BAV23S-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 400mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
RBR1VWM40ATFTR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 520 MV @ 1 A
DAN222MFHT2L · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
PMEG030V050EPE-QZ · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 150 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 5 A
BAT54S-G3-18 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 25 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 125°C (Max)
RR1LAM6STFTR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
BAS70-04T-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 70mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C