GL41M-E3/97 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 1000 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.2 V @ 1 A
Componentes electrónicos
V8P22C-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 3.1A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 175°C
SDM20U40Q-13 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 600 MV @ 200 MA
V8K202DU-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 1.8A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
1N5822-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 525 MV @ 3 A
V8K202DU-M3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 1.8A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
BAS316WS · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 75 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 150 MA
V6PW10C-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 3A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
VS-10CSH01-M3/87A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
SDM10U45LP-7 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 25 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 800 MV @ 100 MA
V6K100DUHM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 3A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
BAV20WS-G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 100 MA
V6K100DUHM3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 3A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
SS1H10-M3/61T · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 90 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 860 MV @ 2 A
V6PWM10C-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 3A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 175°C
BAT54GW · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 25 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 100 MA
UF2000CT_T0_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
SL04-E3-08 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 20 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 540 MV @ 1.1 A