BAS19-G3-18 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 200 MA
Componentes electrónicos
V6KM120DUHM3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 3A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 175°C
SS1H20LS · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 850 MV @ 1 A
V10K60DU-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
1PS76SB10-QF · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 25 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 800 MV @ 100 MA
BD1045CS_S2_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
CD214A-B240R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Bourns Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 2 A
V8P22C-M3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 3.1A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 175°C
BAV21W-G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 200 MA
BD1050CS_L2_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
PMEG60T30ELRX · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1.8 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 620 MV @ 3 A
SD650CS_L2_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 6A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAS70 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 15 MA
V6KM120DUHM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 3A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 175°C
1N6263 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- STMicroelectronics
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 NA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 15 MA
SD620CS_L2_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 6A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
1N4151W-E3-18 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 NA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 50 MA
BYV40E-150 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- WeEn Semiconductors
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 1.5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)