RS1KLH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 800 MA
Componentes electrónicos
MBR2X060A080 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 60A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
VS-E5PX3006LHN3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 20 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 2.1 V @ 30 A
MDD56-14N1B · Componentes electrónicos
- Fabricante
- IXYS
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 95A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
SICB1060P-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 44 µA @ 650 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.6 V @ 10 A
RS1BLH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 800 MA
160CMQ040 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 80A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
DFE250X600NA · Componentes electrónicos
- Fabricante
- IXYS
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 125A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
· Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 500 MA
PSDF3060S1_T0_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 250 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 2.3 V @ 30 A
B482F-2T · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Sensata-Crydom
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 35A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 125°C
· Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 500 MA
DMA200XA1600NA · Componentes electrónicos
- Fabricante
- IXYS
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
VS-20ETF12S-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.31 V @ 20 A
VS-VSKC56/16 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
SE50PABHM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.16 V @ 5 A
GSXD160A020S1-D3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SemiQ
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 160A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
VS-20ETS12FP-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 20 A