SICF0860P-BP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 36 µA @ 650 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.6 V @ 8 A
Componentes electrónicos
· Componentes electrónicos
- Fabricante
- WAGO Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 6.3A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -25°C ~ 40°C
RS3A-M3/9AT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 2.5 A
VS-VSKC91/06 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 50A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
RS3A-M3/57T · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 2.5 A
JANTXV1N4148UBCD/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 1A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 200°C
VS-3C10ET07T-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 55 µA @ 650 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.5 V @ 10 A
MSRT15060A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 150A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
GP10ME-E3/54 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.2 V @ 1 A
GSXD060A012S1-D3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SemiQ
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 60A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
WNSC6D16650CW6Q · Componentes electrónicos
- Fabricante
- WeEn Semiconductors
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 80 µA @ 650 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.45 V @ 16 A
GSXD120A008S1-D3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SemiQ
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 120A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
GP10DE-E3/54 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
MUR2X100A10 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
FFSP0865A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 650 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.75 V @ 8 A
MSRT150100A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 150A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
GP10-4003E-E3/54 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Tecnología
- Estándar
- Tensión inversa CC máxima (Vr)
- 200 V
MUR2X030A02 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C