MBR2X100A045 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
Componentes electrónicos
PCDP15120G1_T0_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 140 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.7 V @ 15 A
MSRT100160AD · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
CMPD2004 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Central Semiconductor Corp
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 240 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 100 MA
DMA240YC1600NA · Componentes electrónicos
- Fabricante
- IXYS
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 240A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
IDW32G65C5BXKSA2 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 650 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.7 V @ 16 A
MBR2X080A200 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 80A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
ES3GB · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.13 V @ 3 A
· Componentes electrónicos
- Fabricante
- WAGO Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 6.3A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -25°C ~ 40°C
FFSH3065A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 650 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
SVM845L_R1_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 250 µA @ 45 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 8 A
VS-HFA70FA120 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 70A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
PCDH20120G1_T0_00601 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 180 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.7 V @ 20 A
MBR2X080A080 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 80A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
SK835L-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 MA @ 35 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 650 MV @ 8 A
VS-VSKC56/06 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
FFSH20120A-F155 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.75 V @ 20 A
MUR2X100A12 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C