JANTXV1N4148UBD · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 200°C
Componentes electrónicos
RS1BLHR3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 800 MA
MSRT150100AD · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 150A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAT54QCZ · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 25 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 800 MV @ 100 MA
GSXD120A010S1-D3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SemiQ
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 120A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
RB021VA90TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 900 µA @ 90 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 490 MV @ 200 MA
MBR2X100A200 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
1N4045 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 15 MA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 300 A
ES2CHE3_A/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 900 MV @ 2 A
300CNQ035 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 150A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
MBR2X100A120 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
NDSH50120C · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.75 V @ 50 A
MUR2X030A04 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
· Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 1.5 A
MSRT250160A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 250A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
PCDP20120G1_T0_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 180 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.7 V @ 20 A
MBR2X100A080 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
1N5822H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 525 MV @ 3 A