MURTA30020R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 150A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
Componentes electrónicos
F1827RD1200 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Sensata-Crydom
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 25A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 125°C
V3PM6HM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 1.5 A
ZHCS750QTA · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 650 MV @ 750 MA
MSRTA60080A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 600A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
MBRT60040R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
HS1GFL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 1 A
6A80G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 6 A
JANS1N5712UBCA/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 75mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
VS-3EYH01-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 950 MV @ 3 A
MBR600150CTR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
HS1DFL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 950 MV @ 1 A
MSRTA600120A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 600A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
UG54GH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.05 V @ 5 A
MBRT60030R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
STPS1L40A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- STMicroelectronics
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 35 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 1 A
VS-VSKC250-16PBF · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 125A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
TSSA3U45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 45 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 480 MV @ 3 A