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HS1DFL
HS1DFL · Componentes electrónicos
Información del producto
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Número de parte:
- HS1DFL
- Corriente de fuga inversa a Vr:
- 5 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If:
- 950 MV @ 1 A
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Identificación del componente
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Semiconductores discretos · diodos rectificadores simples |
| Fabricante | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Referencia base | HS1D |
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Corriente de fuga inversa a Vr | 5 µA @ 200 V |
| Tensión directa máxima (Vf) a If | 950 MV @ 1 A |
| Capacitancia a Vr, F | 11pF @ 4V, 1MHz |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 50 Ns |
| Tecnología | Estándar |
| Temperatura de funcionamiento de la unión | -55°C ~ 150°C |
| Tensión inversa CC máxima (Vr) | 200 V |
| Corriente rectificada media (Io) | 1A |
| Velocidad | Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io) |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Encapsulado del fabricante | SOD-123F |
| Encapsulado / carcasa | Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Descripción
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XCKU040-2FFVA1156I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- XILINX
- Encapsulado / carcasa
- FCBGA-1156
- Temperatura de funcionamiento
- Industrial