1N4001-E3/73 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
Componentes electrónicos
BAS70SV · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 70mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
MBR10100 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 MA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 850 MV @ 10 A
FST8345M · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 80A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
MBR1045 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 MA @ 45 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 650 MV @ 10 A
CPT60035 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microsemi Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 300A
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 650 MV @ 300 A
1N6663US · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 NA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 400 MA
SR20150-G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Comchip Technology
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
CTS05S40 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 30 µA @ 10 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 350 MV @ 100 MA
SBT80-04Y-DL-E · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 8A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
TSP12U120S · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 120 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 780 MV @ 12 A
MBRB15H35CT-E3/81 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 7.5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
FFSH20120A-F085 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 1200 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
BAV70T116 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 215mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
1N4148W-HE3-08 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.2 V @ 100 MA
SBT150-04Y-DL-E · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
VS-15EWX06FNTR-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 3.2 V @ 15 A
APT2X61DC120J · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 60A
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.8 V @ 60 A