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FST8345M
FST8345M · Componentes electrónicos
Información del producto
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Número de parte:
- FST8345M
- Corriente rectificada media (Io) / diodo:
- 80A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión:
- -55°C ~ 150°C
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Identificación del componente
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Componentes semiconductores discretos Diodos Rectificadores Matrices de diodos |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Corriente rectificada media (Io) / diodo | 80A (DC) |
| Temperatura de funcionamiento de la unión | -55°C ~ 150°C |
| Tensión directa máxima (Vf) a If | 650 MV @ 80 A |
| Configuración de diodos | 1 par de cátodo común |
| Tecnología | Schottky |
| Tensión inversa CC máxima (Vr) | 45 V |
| Velocidad | Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Corriente de fuga inversa a Vr | 1.5 MA @ 20 V |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Encapsulado del fabricante | D61-3M |
| Encapsulado / carcasa | A granel |
| Tipo de montaje | Montaje en chasis |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Descripción
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XCKU040-2FFVA1156I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- XILINX
- Encapsulado / carcasa
- FCBGA-1156
- Temperatura de funcionamiento
- Industrial