NTE6247 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- NTE Electronics, Inc
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.5 V @ 15 A
Componentes electrónicos
VS-30CPU04HN3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
S5AC-13-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.15 V @ 5 A
MBRF200150 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
APT15D60KG · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 250 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.8 V @ 15 A
MBRF400200 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
S3A-13-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.15 V @ 3 A
FST7340M · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 35A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
NTE5952 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- NTE Electronics, Inc
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 MA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.5 V @ 15 A
MBRF12035 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 60A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SCS304AJTLL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 20 µA @ 650 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.5 V @ 4 A
MBRF400100R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
RB068MM100TFTR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 400 NA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 870 MV @ 2 A
UH4PDCHM3_A/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 2A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
NTE5894 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- NTE Electronics, Inc
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 12 MA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.23 V @ 50 A
FST73100M · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 35A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
V30100S-M3/4W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 350 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 30 A
MBRF30060R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 150A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C