MBRF50045R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 250A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
Componentes electrónicos
S2B-E3/52T · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.15 V @ 1.5 A
MBRF20045 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
FFSP4065BDN-F085 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 40 µA @ 650 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.7 V @ 20 A
MBR10100CTF-E1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
VS-30ETU12-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 145 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 2.68 V @ 30 A
MBRF12030 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 60A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SS25FA · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 400 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 2 A
MBRF40080R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
DSC10120 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 640 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.7 V @ 10 A
MBRB20H35CT-E3/81 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
VS-50WQ04FNHM3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 3 MA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 510 MV @ 5 A
MBRF20035 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
NTE5896 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- NTE Electronics, Inc
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 12 MA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.23 V @ 50 A
MBRF120100 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 60A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SE30AFJHM3/6A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 3 A
MBRF40045R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
S4D02120A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.8 V @ 2 A