FEP16BT-5001HE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 16A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
Componentes electrónicos
BAL99E6433HTMA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 70 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 150 MA
SRF1020HC0G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
STPS20SM60D · Componentes electrónicos
- Fabricante
- STMicroelectronics
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 85 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 630 MV @ 20 A
BYW29-100801HE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 100 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
B0530WSQ-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 450 MV @ 500 MA
SR2090HC0G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SDM0440S3F-7 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 20 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 400 MA
MBR20100CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
VS-15TQ060S-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 800 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 620 MV @ 15 A
DD180N20SHPSA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 226A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 135°C
SRF10100HC0G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAT760Z · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 15 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 550 MV @ 1 A
PG158_R2_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1.5 A
SR2060HC0G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
APT30DQ60BG · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 25 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 2.4 V @ 30 A
MBR10100CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
SBA340AH_R1_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 150 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 480 MV @ 3 A