SRF1020 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
Componentes electrónicos
SR105-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 1 A
SRF1660 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 16A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
IDK06G65C5XTMA2 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1.1 MA @ 650 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.8 V @ 6 A
MBR2545CT801HE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 12.5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
BAT54TQ-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 25 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 100 MA
UG18DCT-5410HE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 18A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
VT4045BP-M3/4W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 3 MA @ 45 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 670 MV @ 40 A
MBR1645-10HE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 45 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
HER104G-AP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 300 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 1 A
SRF10100 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SB120-E3/54 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 480 MV @ 1 A
MBR1645-2HE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 45 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
S2A-LTP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.15 V @ 2 A
SRF1640 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 16A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
MBR10100-E3/4W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 800 MV @ 10 A
FES16JT-5410HE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
CRG07(TE85L · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 700 MA