UGB10CCTHE3_A/P · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
Componentes electrónicos
MSS1P5HM3_A/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 150 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 680 MV @ 1 A
CDST-2004S-G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Comchip Technology
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 225mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
BAT400D-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 550 MV @ 500 MA
SSRD8620CTRG-VF01 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 3A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
V3FL45-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 750 µA @ 45 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 580 MV @ 3 A
MBD4448HADW · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 250mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
S1PK-M3/84A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
BAT54C-7-G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
FS2GFL-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 2 A
B350A-E3/61T · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 720 MV @ 3 A
UGF10CCTHE3_A/P · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
S1K-E3/61T · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
TRS24N65FB · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 12A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 175°C (Max)
BAT43WS-G3-08 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 NA @ 25 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 450 MV @ 15 MA
BAT54ST-HF · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Comchip Technology
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
LSIC2SD120E20CCA · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Littelfuse Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 32A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
RB051M-2YTR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 900 µA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 460 MV @ 3 A