UGB18ACTHE3_A/P · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 18A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
Componentes electrónicos
S3AFJHM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 3 A
SBR30300CTFP-G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
RB521SM-40FHT2R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 90 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 540 MV @ 200 MA
BAV70DXV6T5G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
UF151G_R2_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 1.5 A
NTST40H120ECTG · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
MB24_R1_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 2 A
G20H150CTW · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
FR2DF_R1_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 2 A
NTSB20120CT-1G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
SS26LW · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 2 A
UGB10DCTHE3_A/P · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
SE8D20J-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 2 A
SBR20U60CTFP-G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
SDM1U20CSP-7 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 440 MV @ 1 A
MURF1060CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
D1G-T · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 1 A