VSS8D5M10-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 400 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 580 MV @ 2.5 A
Componentes electrónicos
AZV331KTR-G1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Embalaje
- Bobina
US1JHM3_A/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.7 V @ 1 A
SE20AFBHM3/6A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 2 A
FR1M_R1_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 1000 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 1 A
VSS8D5M15-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 180 µA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 790 MV @ 2.5 A
SF16GH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 1 A
BAS170WS-G3-18 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 70 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 15 MA
SS210FSH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 850 MV @ 2 A
AP393AM8G-13 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Embalaje
- Bobina
SK315A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 950 MV @ 3 A
SE20PAJ-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.05 V @ 2 A
ES1BFS · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 950 MV @ 1 A
RS3MFSH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 3 A
S2DHE3_A/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.15 V @ 1.5 A
SE20PAG-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.05 V @ 2 A
B220Q-13-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 2 A
AS339MTR-G1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Tipo de comparador
- Uso general
- Embalaje
- Bobina