MURS2D-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 920 MV @ 2 A
Componentes electrónicos
PNU65010EPX · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 650 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.2 V @ 1 A
B360B-E3/5BT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 660 MV @ 3 A
ES1BHM3_A/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 920 MV @ 1 A
VSS8D2M12-M3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 250 µA @ 120 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 600 MV @ 1 A
HA1631S03CMEL-E · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Renesas Electronics
- Embalaje
- Bobina
CRS10I30C(TE85L · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 360 MV @ 1 A
STPST2H100AFY · Componentes electrónicos
- Fabricante
- STMicroelectronics
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2.7 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 805 MV @ 2 A
ADCMP392ARZ-RL7 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Analog Devices
- Embalaje
- Bobina
MPG06GHE3_A/54 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
SDURD530 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 30 µA @ 300 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 5 A
NJM2903RB1-TE1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- NJR
- Embalaje
- Bobina
- Tipo de montaje
- SMD/SMT
SR220 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 950 MV @ 2 A
· Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.7 V @ 1 A
RBR3MM60BTR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 120 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 610 MV @ 3 A
SE20PDHM3/84A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.05 V @ 2 A
SS2P5HM3/84A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 2 A