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- Microchip Technology
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- 320 MV @ 3 A
Componentes electrónicos
TLC075CPWP · Componentes electrónicos
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1N6675/TR · Componentes electrónicos
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- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 200 MA
VS-20ETF10STRL-M3 · Componentes electrónicos
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- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 1000 V
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- 1.31 V @ 20 A
STTH10R04D · Componentes electrónicos
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- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.7 V @ 10 A
VS-20ETF08S-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.31 V @ 20 A
VS-E5TX3012THN3 · Componentes electrónicos
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- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 3.3 V @ 30 A
VS-E4PU3006LHN3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
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- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
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MCP6275-E/MS · Componentes electrónicos
- Fabricante
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1N4153UR · Componentes electrónicos
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- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
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- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 880 MV @ 20 MA
JAN1N4150UR-1 · Componentes electrónicos
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- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 200 MA
VS-E5TH3012THN3 · Componentes electrónicos
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- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 2.5 V @ 30 A
· Componentes electrónicos
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- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 50 V
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- 620 MV @ 3 A
VS-E4PH3006LHN3 · Componentes electrónicos
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- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
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1N645-1E3 · Componentes electrónicos
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- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 NA @ 225 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 400 MA
VS-20ETF02S-M3 · Componentes electrónicos
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- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 200 V
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- 1.3 V @ 20 A
1N4153UR-1/TR · Componentes electrónicos
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- Corriente de fuga inversa a Vr
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- -65°C ~ 175°C