VS-20ETF12STRR-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.31 V @ 20 A
Componentes electrónicos
SDURS30Q60WT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.8 V @ 30 A
RF1501TF3S · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
- Tecnología
- Estándar
· Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 MA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 520 MV @ 8 A
NRVB120ESFT1G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 530 MV @ 1 A
VS-8EWS12STRR-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 8 A
· Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 620 MV @ 3 A
VS-20ETF02STRR-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 20 A
OPA2172IDR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Texas Instruments
- Corriente de alimentación
- 1.6 MA
- Corriente de polarización de entrada
- 15 PA
VS-8EWS08STRR-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 8 A
SFAF504G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 975 MV @ 5 A
VS-20ETF04STRR-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 20 A
SICRD5650 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 60 µA @ 650 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.7 V @ 5 A
· Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 810 MV @ 5 A
VS-20ETF04S-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 20 A
IDP45E60XKSA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 2 V @ 45 A
· Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 630 MV @ 3.5 A
LM7171BIMX/NOPB · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Texas Instruments
- Corriente de alimentación
- 6.5 MA
- Temperatura mínima de funcionamiento
- - 40 C