BAV99Q-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 300mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
Productos
TSU1M45H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 80 µA @ 45 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 600 MV @ 1 A
BAV70W-QF · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 175mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C
SE8D20D-M3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 2 A
BAT54CW-QF · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C
MER3DBF_R1_00701 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 950 MV @ 3 A
BAT54AT-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
V3NM103HM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 120 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 690 MV @ 3 A
BAW56Q-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 150mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
SE30NJ-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 3 A
RB717UMFHTL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 125°C (Max)
NRVUS1GFA · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 1 A
BAS40-05HE3-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
CRF02(TE85L · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 3 V @ 500 MA
DAN222T1G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
V3NM63HM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 630 MV @ 3 A
BAV23CA · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diotec Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 225mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SE20NJHM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 2 A