BAV99-HE3-18 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 150mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
Productos
SE40ND-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 4 A
1SS181 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 125°C (Max)
CRS14(TE85L · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 490 MV @ 2 A
PMEG100T20ELPX · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1.25 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 800 MV @ 2 A
BAV70HMFHT116 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 215mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
EGP10C · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 950 MV @ 1 A
1PS88SB82 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 125°C (Max)
SE30AFDHM3/6A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 3 A
1SS360 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 125°C (Max)
ES07D-M-08 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 980 MV @ 1 A
BAV99HMT116 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 215mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
UF2G_R1_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 2 A
BAT54SWF · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
BAV70HMT116 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 215mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
VS-3EAH02-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 960 MV @ 3 A
BAT54SHMT116 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
BAS40HYFHT116 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 40 MA