MMBD7000-G3-18 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
Productos
FDH300ATR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 NA @ 125 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 200 MA
DD540N26KHPSA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 540A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
CMR3U-10M · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Central Semiconductor Corp
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 2 V @ 3 A
BAW56B5000 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Encapsulado / carcasa
- A granel
BAS716YL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 NA @ 75 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 150 MA
NSVBAV70TT1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Encapsulado / carcasa
- A granel
VB30100S-E3/8W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 MA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 910 MV @ 30 A
BAT54-AQ · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diotec Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 25 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
1SS355-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 80 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.2 V @ 100 MA
MBR400100CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SMBT2000T1G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Encapsulado / carcasa
- A granel
JANTX1N4148-1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 NA @ 75 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.2 V @ 100 MA
· Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 975 MV @ 2 A
MSCDC600A170AG · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 600A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 175°C
FDH444TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 NA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.2 V @ 300 MA
BAW156235 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Encapsulado / carcasa
- A granel
STTH2002G-TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- STMicroelectronics
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 20 A