MMBD3004SE · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 225mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
Productos
SS24SHE3_B/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 40 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
1S953-T2 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Renesas Electronics America Inc
- Encapsulado / carcasa
- A granel
APT100S20BG · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 MA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 950 MV @ 100 A
BAS70TWQ-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 70mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
1SS55-T4-AZ · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Renesas Electronics America Inc
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 75 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 1 MA
1SS226 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 125°C (Max)
IDH10G65C6XKSA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 33 µA @ 420 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.35 V @ 10 A
1S953-TB-AZ · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Renesas Electronics America Inc
- Encapsulado / carcasa
- A granel
1N4154 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- NTE Electronics, Inc
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 25 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 30 MA
BAS40-04Q-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
IDW75D65D1XKSA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 40 µA @ 650 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.7 V @ 75 A
MMBD1503A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rectron USA
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
B340AXF-13 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 3 A
BAV23A-QR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 225mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C
APT75DQ120BG · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 3.1 V @ 75 A
M1MA151WKT1G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
SA2J-E3/5AT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 3 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 2 A