BAT54BR-G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
Productos
BYV26E-TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 2.5 V @ 1 A
MBR30150CTH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAT54C · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 25 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 100 MA
MBRS2535CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 25A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAT54-AU_R1_000A1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 600 MV @ 100 MA
MBR2535CTHC0G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 25A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
RF302LAM2STFTR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 920 MV @ 3 A
SRS2030 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
S1M-13-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
MBRS25100CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 25A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAV21WS-G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 100 MA
MBR25100CTHC0G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 25A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAS516HE3-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 75 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 150 MA
MBR2535CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 25A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BY269TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 1600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 400 MA
SRS1630 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 16A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
BAV19WS-G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 100 MA