MBRF10100CTHC0G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
Productos
BAV20W-G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 200 MA
MBR6050PTHC0G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 60A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAS40WS_R1_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 40 MA
SK54BL_R1_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 460 MV @ 5 A
GP1005 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAS70 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 15 MA
MBRS2590CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 25A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
MBR6090PTHC0G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 60A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAV20 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 200 MA
GP1002HC0G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
V8P10HM3_A/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 70 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 680 MV @ 8 A
RB520S30_R1_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 10 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 600 MV @ 200 MA
MBR6050PT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 60A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAT46GW · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 75 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 250 MA
MBR30150PTHC0G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
MBRS2550CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 25A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SS10PH10-M3/87A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 880 MV @ 10 A