GPP10D-E3/54 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
Productos
CDST-2004S-HF · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Comchip Technology
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 225mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
HSM221CTL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Renesas Electronics America Inc
- Encapsulado / carcasa
- A granel
NRVBD660CTG · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 3A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
BAV300-TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 100 MA
FEP16DT-33HE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 16A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAT46WQ-7-F-52 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 75 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 450 MV @ 10 MA
NRVBD640CTT4G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 3A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
HRW0202BTR-E · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Renesas Electronics America Inc
- Encapsulado / carcasa
- A granel
BAT54AT-7-G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
1N5817 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Central Semiconductor Corp
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 MA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 450 MV @ 1 A
FEP6DT-5410HE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 6A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAL99 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 70 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 150 MA
BYV32-150801HE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 18A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
V2NL63HM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 580 MV @ 2 A
BAS40W-04-7-F-79 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
IMBD4148-HE3-08 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2.5 µA @ 70 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 10 MA
GE2X10MPS06D · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 23A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C