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GE2X10MPS06D
GE2X10MPS06D · Componentes electrónicos
Información del producto
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Número de parte:
- GE2X10MPS06D
- Corriente rectificada media (Io) / diodo:
- 23A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión:
- -55°C ~ 175°C
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Identificación del componente
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Componentes semiconductores discretos Diodos Rectificadores Matrices de diodos |
| Serie | SiC Schottky MPS™ |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Referencia base | GE2X10 |
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Corriente rectificada media (Io) / diodo | 23A (DC) |
| Temperatura de funcionamiento de la unión | -55°C ~ 175°C |
| Configuración de diodos | 1 par de cátodo común |
| Tecnología | Schottky de SiC (carburo de silicio) |
| Tensión inversa CC máxima (Vr) | 650 V |
| Velocidad | Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io) |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de montaje | Montaje pasante |
| Encapsulado del fabricante | –-247-3 |
| Encapsulado / carcasa | Tubo |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Descripción
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XCKU040-2FFVA1156I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- XILINX
- Encapsulado / carcasa
- FCBGA-1156
- Temperatura de funcionamiento
- Industrial