KTY81/250 · ตัวต้านทานและตัวเก็บประจุ
- ผู้ผลิต
- NXP Semiconductors
- ค่าความคลาดเคลื่อน
- 5 %
- ช่วงอุณหภูมิทำงาน
- - 55 C – + 150 C
ตัวต้านทานและตัวเก็บประจุ
ERT-J0EV683H · ตัวต้านทานและตัวเก็บประจุ
- ผู้ผลิต
- Panasonics
- ค่าความคลาดเคลื่อน
- 3 %
- แพ็กเกจ / ตัวถัง
- 0402
PTGL07AS121M0N51B0 · ตัวต้านทานและตัวเก็บประจุ
- ผู้ผลิต
- Murata Electronics
- ความต้านทาน
- 120 Ohms
- ค่าความคลาดเคลื่อน
- 20 %
B57891M154J · ตัวต้านทานและตัวเก็บประจุ
- ผู้ผลิต
- EPCOS / TDK
- ค่าความคลาดเคลื่อน
- 5 %
- กำลังพิกัด
- 200 MW
B57550G502F · ตัวต้านทานและตัวเก็บประจุ
- ผู้ผลิต
- EPCOS / TDK
- ค่าความคลาดเคลื่อน
- 1 %
- กำลังพิกัด
- 32 MW
B57550G103F2 · ตัวต้านทานและตัวเก็บประจุ
- ผู้ผลิต
- EPCOS / TDK
- ค่าความคลาดเคลื่อน
- 1 %
- กำลังพิกัด
- 32 MW
B59870C0120A070 · ตัวต้านทานและตัวเก็บประจุ
- ผู้ผลิต
- EPCOS / TDK
- ความต้านทาน
- 25 Ohms
- ค่าความคลาดเคลื่อน
- 25 %
NCP03WL154E05RL · ตัวต้านทานและตัวเก็บประจุ
- ผู้ผลิต
- Murata Electronics
- ค่าความคลาดเคลื่อน
- 3 %
- กำลังพิกัด
- 100 MW (1/10 W)
PTGL07AS2R7K2B51B0 · ตัวต้านทานและตัวเก็บประจุ
- ผู้ผลิต
- Murata Electronics
- ความต้านทาน
- 2.7 Ohms
- ค่าความคลาดเคลื่อน
- 10 %
B59641A0105A062 · ตัวต้านทานและตัวเก็บประจุ
- ผู้ผลิต
- EPCOS / TDK
- ความต้านทาน
- 470 Ohms
- ค่าความคลาดเคลื่อน
- 50 %
NCP15XF151J0SRC · ตัวต้านทานและตัวเก็บประจุ
- ผู้ผลิต
- Murata Electronics
- ความต้านทาน
- 150 Ohms
- ค่าความคลาดเคลื่อน
- 5 %
B59100M1180A70 · ตัวต้านทานและตัวเก็บประจุ
- ผู้ผลิต
- EPCOS / TDK
- ช่วงอุณหภูมิทำงาน
- 0 C – + 40 C
- รูปแบบขั้วต่อ
- แนวรัศมี
PTGL09ARR33M1B51A0 · ตัวต้านทานและตัวเก็บประจุ
- ผู้ผลิต
- Murata Electronics
- ค่าความคลาดเคลื่อน
- 20 %
- ช่วงอุณหภูมิทำงาน
- - 10 C – + 60 C