JAN1N5305-1/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงCMJ4500 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตCentral Semiconductor Corpแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 150°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงJAN1N5290UR-1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงCDLL5297/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N5314UR-1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N5300UR-1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
1N5297-1E3/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N5305UR-1/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N5311UR-1/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N5286UR-1/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N5294UR-1/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N5289/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N5309UR-1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
1N5304-1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N5298UR-1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N5293UR-1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N5286UR-1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N5307UR-1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา