ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงJANS1N5300UR-1/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
JAN1N5291-1/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงJAN1N5301UR-1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
1N5300-1/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
JAN1N5298-1/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงJANS1N5292UR-1/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
1N5307-1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงJAN1N5297UR-1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงJANS1N5302UR-1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
JAN1N5307-1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงJAN1N5293UR-1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
1N5284/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงJANS1N5305UR-1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
JAN1N5284-1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงJAN1N5288UR-1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N5283/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงJANS1N5309UR-1/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงJAN1N5305UR-1/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา