ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงJAN1N5296UR-1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N5312UR-1E3 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
JANS1N5287-1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงJAN1N5292UR-1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
JANS1N5283-1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N5307UR-1/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงJAN1N5286UR-1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N5283UR-1/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
JANTXV1N5309-1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N5290UR-1/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
JANTXV1N5297-1/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงJANTXV1N5314UR-1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N5314UR-1/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
JANTXV1N5306-1/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงJANTXV1N5288UR-1/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
1N5297-1/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
JANHCA1N5311 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
JANTXV1N5307-1/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา