2SK06630RL · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Panasonic Electronic Components
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 150°C (TJ)
ไดโอดและทรานซิสเตอร์
2SK209-BL(TE85L · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Toshiba Semiconductor And Storage
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 125°C (TJ)
MX2N5115UB/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 500 MW
2SJ01630RL · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Panasonic Electronic Components
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 150°C (TJ)
2N4860UB/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 360 MW
FJX597JHTF · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 150°C (TJ)
2N5458G · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 135°C (TJ)
MX2N5115UB · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 500 MW
2SK33720TL · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Panasonic Electronic Components
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -20°C ~ 80°C (TA)
TF412ST5G · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 150°C (TJ)
KSK596ABU · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 150°C (TJ)
2N4857UB · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 360 MW
MQ2N4093UB/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 360 MW