J174_D74Z · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
ไดโอดและทรานซิสเตอร์
CMPF5485 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Central Semiconductor Corp
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -65°C ~ 150°C (TJ)
2SK932-22-TB-E · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 150°C (TJ)
PN4391 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Central Semiconductor Corp
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -65°C ~ 150°C (TJ)
2N5457 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Central Semiconductor Corp
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -65°C ~ 150°C (TJ)
2N4416-E3 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Vishay Siliconix
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 300 MW
J112_D11Z · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4416 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Vishay Siliconix
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 300 MW
U1898 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4119A-2 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Vishay Siliconix
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 300 MW
PN4092 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4118A · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Vishay Siliconix
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 300 MW
J113_D26Z · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
