ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงTLV2731CDBVR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTexas Instrumentsประเภทแอมพลิฟายเออร์ใช้งานทั่วไปอัตราสลูว์1.6 V/µs ขอใบเสนอราคา
SD040SB100A.T2 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSMC Diode Solutionsกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr30 µA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If840 MV @ 1 A ขอใบเสนอราคา
LM2902KVQPWRG4Q1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTexas Instrumentsประเภทแอมพลิฟายเออร์ใช้งานทั่วไปอัตราสลูว์0.5 V/µs ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงEDT302S_L2_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 µA @ 200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If950 MV @ 3 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงTS974IYD · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSTMicroelectronicsประเภทแอมพลิฟายเออร์ใช้งานทั่วไปอัตราสลูว์4 V/µs ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงAR1PG-M3/85A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 µA @ 400 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.25 V @ 1 A ขอใบเสนอราคา
TL084IDRE4 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTexas Instrumentsประเภทแอมพลิฟายเออร์J-FETอัตราสลูว์13 V/µs ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงED303S_S2_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 µA @ 300 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.25 V @ 3 A ขอใบเสนอราคา
MCP6292IDGKR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTexas Instrumentsประเภทแอมพลิฟายเออร์ใช้งานทั่วไปอัตราสลูว์6.5 V/µs ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงU2D-M3/52T · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr10 µA @ 200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If900 MV @ 2 A ขอใบเสนอราคา
TSV623AIST · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSTMicroelectronicsประเภทแอมพลิฟายเออร์ใช้งานทั่วไปอัตราสลูว์0.19 V/µs ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงCD2010-B140 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตBourns Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 µA @ 40 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If550 MV @ 1 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงS8PM-M3/H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 1000 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.1 V @ 8 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงLP324PWRE4 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTexas Instrumentsประเภทแอมพลิฟายเออร์ใช้งานทั่วไปอัตราสลูว์0.05 V/µs ขอใบเสนอราคา
1N5059TAP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 µA @ 200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.15 V @ 2.5 A ขอใบเสนอราคา
LP2904DR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTexas Instrumentsประเภทแอมพลิฟายเออร์ใช้งานทั่วไปอัตราสลูว์0.05 V/µs ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงAS1FKHM3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 800 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.15 V @ 1.5 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงS8PG-M3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 400 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.1 V @ 8 A ขอใบเสนอราคา