BYX82TAP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 1 A
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
TL054AID · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- J-FET
- อัตราสลูว์
- 17.8 V/µs
UF5407GP-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 800 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.7 V @ 3 A
OPA743UA · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- ใช้งานทั่วไป
- อัตราสลูว์
- 10 V/µs
UF5401GP-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 950 MV @ 3 A
FR505GP-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.35 V @ 5 A
ADA4622-2BRZ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- ADI / Analog Devices Inc.
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- J-FET
- อัตราสลูว์
- 23 V/µs
FR501GP-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.35 V @ 5 A
EGP20C · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 150 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 950 MV @ 2 A
MURD560S-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.7 V @ 5 A
TLV2422AID · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- ใช้งานทั่วไป
- อัตราสลูว์
- 0.02 V/µs
MURSD520A-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 5 A
THS4012ID · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- ป้อนกลับแรงดัน
- อัตราสลูว์
- 310 V/µs
ESH3D-M3/57T · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 900 MV @ 3 A
MCP6492T-E/SN · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- การปิดการทำงาน
- ไม่มีฟังก์ชันปิดการทำงาน
- บรรจุภัณฑ์
- ม้วน
ESH3C-M3/9AT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 150 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 900 MV @ 3 A
TSV734IQ4T · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- STMicroelectronics
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- ใช้งานทั่วไป
- อัตราสลูว์
- 0.35 V/µs
SE40PBHM3_A/H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.05 V @ 4 A