JANTX1N6627US/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 µA @ 440 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.35 V @ 2 A
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
120NQ040R-1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- SMC Diode Solutions
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 MA @ 40 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 610 MV @ 120 A
UES1003SM-1/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 µA @ 150 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 975 MV @ 1 A
VS-HFA90NH40PBF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 MA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.67 V @ 180 A
MC33272ADR2G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสไฟเลี้ยง
- 4.3 MA
- กระแสไบอัสอินพุต
- 800 NA
UES1002SM-1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 975 MV @ 1 A
UES1105 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.25 V @ 1 A
TL062CD · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- STMicroelectronics
- กระแสไฟเลี้ยง
- 200 UA
- กระแสไบอัสอินพุต
- 200 PA
UES1003SM-1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 µA @ 150 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 975 MV @ 1 A
UES1001SM/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 µA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 975 MV @ 1 A
JANS1N5811US · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 175°C
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 875 MV @ 4 A
JANTX1N6627US · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 µA @ 440 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.35 V @ 2 A
JANTX1N6628US/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 µA @ 660 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.35 V @ 2 A
JANTX1N6628US · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 µA @ 660 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.35 V @ 2 A
JANTXV1N6642UB/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 NA @ 75 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.2 V @ 100 MA
VS-T40HFL20S02 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 200 V
- เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr)
- 200 Ns
JAN1N6642UBCC · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 300mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 175°C
JAN1N5194 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1.25 MA @ 80 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 100 MA