NSVBAV99WT3G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 215mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 150°C
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
BAW27-TAP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 NA @ 60 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.25 V @ 400 MA
BAT54SWQ-7-F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 125°C
BAV19W · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- SMC Diode Solutions
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 NA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 100 MA
BAT54S-HE3-08 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 µA @ 25 V
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 125°C (Max)
1SS387 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Toshiba Semiconductor And Storage
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 NA @ 80 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.2 V @ 100 MA
MMBD717LT1G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 370 MV @ 1 MA
BAV16W-7-F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.25 V @ 150 MA
BAT54SFILM · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- STMicroelectronics
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 300mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C
1N914BWS · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 75 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 100 MA
BAV23C-7-F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 400mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 150°C
BAS321 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Nexperia USA Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 NA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.25 V @ 200 MA
BAT54S-E3-08 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 125°C (Max)
1N4006G-T · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 800 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 1 A
BAV199E6433HTMA1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Infineon Technologies
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
BAS21AHT1G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 40 NA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.25 V @ 200 MA
BAT54C-E3-08 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 125°C (Max)
RB751S40_R1_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Panjit International Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 NA @ 30 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 370 MV @ 1 MA