RS1G-13-F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 1 A
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
BAT6404E6327HTSA1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Infineon Technologies
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 250mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
RB751VM-40TE-17 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Rohm Semiconductor
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 NA @ 30 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 370 MV @ 1 MA
BAT54XYH · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Nexperia USA Inc.
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 125°C (Max)
V2PM15-M3/H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 50 µA @ 150 V
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 175°C
BAT5404WH6327XTSA1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Infineon Technologies
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
S1DB-13-F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 1 A
BAT54CWFILMY · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- STMicroelectronics
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 300mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C
SS115LW · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 150 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 950 MV @ 1 A
BAS4005E6433HTMA1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Infineon Technologies
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 120mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
1SS355VMFHTE-17 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Rohm Semiconductor
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 NA @ 80 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.2 V @ 100 MA
BAS16SH6327XTSA1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Infineon Technologies
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
BAT42W-7-F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 NA @ 25 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 200 MA
BAT54AWFILMY · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- STMicroelectronics
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 300mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C
BAS70WX-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 NA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 15 MA
BAS4004E6433HTMA1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Infineon Technologies
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 120mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
BAS7004E6433HTMA1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Infineon Technologies
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 70mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
CUS15S30 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Toshiba Semiconductor And Storage
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 µA @ 30 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 400 MV @ 1 A