JANS1N5804US/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 150 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 975 MV @ 2.5 A
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
JANTXV1N6642UB2R/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 NA @ 75 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.2 V @ 100 MA
BA2904WF-E2 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- ROHM Semiconductor
- กระแสไฟเลี้ยง
- 0.5 MA
- กระแสไบอัสอินพุต
- 20 NA
UES1104SM · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 2 A
1N1128A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 2.2 V @ 10 A
UES1106SM · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.25 V @ 1 A
- เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr)
- 50 Ns
1N1616 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 50 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.5 V @ 15 A
NJM4250M-TE1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- NJR
- กระแสไฟเลี้ยง
- 100 UA
- กระแสไบอัสอินพุต
- 75 NA
JANHCA1N6761 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 690 MV @ 1 A
NJM2114M-TE2 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- NJR
- กระแสไฟเลี้ยง
- 16 MA
- กระแสไบอัสอินพุต
- 1.8 UA
S150QR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.2 V @ 150 A
150KR40A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 35 MA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.33 V @ 150 A
1N3670A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 700 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.2 V @ 30 A