HSU227JTRF-E · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRenesas Electronics America Incแพ็กเกจ / ตัวถังบรรจุรวม ขอใบเสนอราคา
STPS1045B-TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSTMicroelectronicsกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 µA @ 45 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If630 MV @ 10 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงBAT721A-QR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNexperia USA Inc.กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด200mAอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน125°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงCSHD3-40 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตCentral Semiconductor Corpกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 µA @ 40 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If650 MV @ 3 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSBR0330CW-7 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด150mAอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
SS35 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr500 µA @ 50 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If750 MV @ 3 A ขอใบเสนอราคา
SBA0520SA_R1_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด500mAอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-6ESH02-M3/86A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr2 µA @ 200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If940 MV @ 6 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSDM20E40C-7-F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด400mA (DC)อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-30°C ~ 125°C ขอใบเสนอราคา
BYV26B-TAP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 400 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If2.5 V @ 1 A ขอใบเสนอราคา
BAS70DW-06-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicro Commercial Coกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด70mA (DC)อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 125°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงHER308G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTaiwan Semiconductor Corporationกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr10 µA @ 1000 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.7 V @ 3 A ขอใบเสนอราคา
BAT854AW-QX · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNexperia USA Inc.กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด200mA (DC)อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงV8PM6HM3/H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr600 µA @ 60 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If640 MV @ 8 A ขอใบเสนอราคา
BAS40DW-05-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicro Commercial Coกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด200mAอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 125°C ขอใบเสนอราคา
BYW32-TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.1 V @ 1 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงBAS70-07V · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNexperia USA Inc.กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด70mA (DC)อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน150°C (Max) ขอใบเสนอราคา
SBA0520CA_R1_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด500mAอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา