ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงGP30J-E3/54 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 600 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.1 V @ 3 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงV10PL45-M3/86A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 MA @ 45 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If520 MV @ 10 A ขอใบเสนอราคา
SD103ATW-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicro Commercial Coกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด175mAอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน125°C (Max) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงRR601BM4STL · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRohm Semiconductorกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr10 µA @ 400 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.1 V @ 6 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงRBE1KA20ATR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRohm Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด1Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน125°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงBY228-15TAP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 1200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.5 V @ 5 A ขอใบเสนอราคา
V10PWL63C-M3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด5Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSR510 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTaiwan Semiconductor Corporationกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 µA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If850 MV @ 5 A ขอใบเสนอราคา
BAS40-05HYFHT116 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRohm Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด120mA (DC)อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงV15P45-M3/86A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1.5 MA @ 45 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If580 MV @ 15 A ขอใบเสนอราคา
V10KM120C-M3/H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด3.9Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงHSM276ASTR-E · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRenesas Electronics America Incแพ็กเกจ / ตัวถังบรรจุรวม ขอใบเสนอราคา
STTH4R02B-TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSTMicroelectronicsกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr3 µA @ 200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.05 V @ 4 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงCMLD4448DOG · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตCentral Semiconductor Corpกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด250mAอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงAU3PM-M3/86A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr10 µA @ 1000 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If2.5 V @ 3 A ขอใบเสนอราคา
HSU276ATRF-E · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRenesas Electronics America Incแพ็กเกจ / ตัวถังบรรจุรวม ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงCMR3-06 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตCentral Semiconductor Corpกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 600 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.2 V @ 3 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSD640CS_L2_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด6Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา