ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N4448W-AU_R1_000A1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr2.5 µA @ 75 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1 V @ 100 MA ขอใบเสนอราคา
FERD40L60CTS · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSTMicroelectronicsกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด20Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน150°C (Max) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-T40HF60 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr15 MA @ 600 Vเทคโนโลยีมาตรฐาน ขอใบเสนอราคา
RF601BGE2DTL · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRohm Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด3Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงC4D20120A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตWolfspeed, Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr200 µA @ 1200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.8 V @ 20 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงV40DM150C-M3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด20Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSICPT40120Y-BP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicro Commercial Coกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr20 µA @ 1200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.6 V @ 40 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMBRL20100FCT-BP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicro Commercial Coกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด20Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงFFSH20120ADN-F085 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr200 µA @ 1200 Vอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงNRVBD640VCTT4G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด3Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงFFSP20120A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr200 µA @ 1200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.75 V @ 20 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงV20DM150CHM3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด10Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงNDSH10170A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr40 µA @ 1700 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.75 V @ 10 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงV30DM150C-M3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด15Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
RB098BM100TL · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRohm Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด6Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงV20DM100CHM3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด10Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงV20DM60CHM3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด10Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSTB60100C · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSMC Diode Solutionsอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°Cแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If900 MV @ 30 A ขอใบเสนอราคา