ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงHN2S03FUTE85LF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตToshiba Semiconductor And Storageกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด50mAอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน125°C (Max) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงES1001FL_R1_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr500 NA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If950 MV @ 1 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงRB530XNFHTR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRohm Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด100mAอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน125°C (Max) ขอใบเสนอราคา
MBR220AFC_R1_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr50 µA @ 200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If900 MV @ 2 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-4CSH02-M3/86A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด2Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
SS2040HE_R1_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 µA @ 40 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If550 MV @ 2 A ขอใบเสนอราคา
BAV70HYFHT116 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRohm Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด125mAอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMB2H60AL_R1_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr3 µA @ 60 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If750 MV @ 2 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงHN2D01FTE85LF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตToshiba Semiconductor And Storageกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด80mAอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน125°C (Max) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSB360_R2_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 µA @ 60 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If750 MV @ 3 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงBAS40DW-05-7-F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด200mA (DC)อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 125°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSK14_R1_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr200 µA @ 40 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If500 MV @ 1 A ขอใบเสนอราคา
DSTF2045C · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตLittelfuse Inc.กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด10Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
SX3H15_R1_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr500 NA @ 150 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If850 MV @ 3 A ขอใบเสนอราคา
MMBD4448HTW-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicro Commercial Coกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด250mAอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน150°C (Max) ขอใบเสนอราคา
SBM56LAFC_R1_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr220 µA @ 60 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If600 MV @ 5 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงRB508FM-40CFHT106 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRohm Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด80mAอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน150°C ขอใบเสนอราคา
SBA240AH_R1_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 µA @ 40 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If530 MV @ 2 A ขอใบเสนอราคา