US1K-13-F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 800 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.7 V @ 1 A
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
CMR1F-02M · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Central Semiconductor Corp
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 1 A
6CWQ03FN · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- SMC Diode Solutions
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 450 MV @ 3 A
SMD24PL-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 µA @ 40 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 500 MV @ 2 A
MBRD2060CT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- SMC Diode Solutions
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 800 MV @ 10 A
SS1H9-E3/5AT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 90 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 770 MV @ 1 A
BAS16TW-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 150mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 150°C
MBR260HW · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- SMC Diode Solutions
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 50 µA @ 60 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 660 MV @ 2 A
SBAW56LT1G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
SE20FGHM3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 2 A
V8KM60DU-M3/H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 8A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 175°C
B140WS-7 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 50 µA @ 40 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 620 MV @ 1 A
BAW56SRAZ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Nexperia USA Inc.
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 375mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
RS1JHE3_A/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 1 A
1PS300 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Nexperia USA Inc.
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 170mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
NSR0620P2T5G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 9 µA @ 20 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 520 MV @ 500 MA
SBAV70LT3G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
V3FM15HM3/H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 85 µA @ 150 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.24 V @ 3 A